《人工晶體學(xué)報(bào)》是由中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)晶體生長(zhǎng)與材料分會(huì)和中非人工晶體研究院聯(lián)合主辦,由《人工晶體學(xué)報(bào)》編輯委員會(huì)編輯,人工晶體學(xué)報(bào)社出版的國(guó)家級(jí)學(xué)術(shù)性期刊,是我國(guó)唯一專(zhuān)門(mén)刊登人工晶體材料這一高新技術(shù)研究領(lǐng)域成果的學(xué)術(shù)性刊物!度斯ぞw學(xué)報(bào)》以“讓中國(guó)晶體走向世界讓世界關(guān)注中國(guó)晶體”為己任,論文年內(nèi)容集中反映了我國(guó)人工晶體材料研究領(lǐng)域的最新成果,覆蓋了本學(xué)科的所有研究項(xiàng)目和應(yīng)用領(lǐng)域,成為世界了解我國(guó)人工晶體材料研究領(lǐng)域的重要窗口!度斯ぞw學(xué)報(bào)》以論文和簡(jiǎn)報(bào)等形式及時(shí)報(bào)道我國(guó)在晶體材料:半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體材料、納米材料、薄膜材料、超硬材料和高技術(shù)陶瓷等在理論研究、生長(zhǎng)技術(shù)、性能、品質(zhì)鑒定、原料制備,以及應(yīng)用技術(shù)和加工等方面的最新科研成果,同時(shí)介紹國(guó)內(nèi)外晶體材料的發(fā)展動(dòng)態(tài)與學(xué)術(shù)交流活動(dòng)及會(huì)展信息?瘧舾采w以上各行業(yè)的大專(zhuān)院校、科研院所、生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位和省(市)圖書(shū)館、政府相關(guān)部門(mén),該刊已在美、日、英、俄、德等國(guó)家和地區(qū)發(fā)行。學(xué)報(bào)編委會(huì)由全國(guó)30多位知名院士、教授和專(zhuān)家組成,負(fù)責(zé)確定《學(xué)報(bào)》的辦刊宗旨及審定論文的質(zhì)量。
本刊為美國(guó)《工程索引》(EI)收錄源期刊;此外,早已收錄《學(xué)報(bào)》的其它國(guó)際著名檢索系統(tǒng)有:美國(guó)《化學(xué)文摘》(CA),英國(guó)《科學(xué)文摘》(INSPEC),日本《科技文獻(xiàn)速報(bào)》(JICST),俄羅斯《文摘雜志》(AJ)。在國(guó)內(nèi),《人工晶體學(xué)報(bào)》為"中文核心期刊";已被《中國(guó)科技文獻(xiàn)數(shù)據(jù)庫(kù)》收錄,全文內(nèi)容在"萬(wàn)方數(shù)據(jù)--數(shù)字化期刊群"系統(tǒng)上網(wǎng);被《中國(guó)期刊網(wǎng)》、《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊(光盤(pán)版)》全文收錄;是《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊綜合評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)庫(kù)》來(lái)源期刊;《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊文摘》首批收錄的源期刊。本刊曾榮獲“全國(guó)優(yōu)秀科技期刊”獎(jiǎng),并多次榮獲部級(jí)“科技優(yōu)秀期刊”等多種獎(jiǎng)勵(lì)。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,目前《人工晶體學(xué)報(bào)》日益受到國(guó)內(nèi)外讀者的廣泛歡迎,受到美國(guó)、俄羅斯、日本、捷克等國(guó)外科研企業(yè)的高度關(guān)注,國(guó)外有關(guān)公司已通過(guò)《學(xué)報(bào)》所展示的信息與國(guó)內(nèi)有關(guān)單位進(jìn)行了廣泛接觸與交流。他們的目標(biāo)是追蹤高科技前沿,主推高學(xué)術(shù)水平,展示技術(shù)與工程的結(jié)合,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
【收錄情況】
國(guó)家新聞出版總署收錄
1997年獲全國(guó)第二屆優(yōu)秀科技期刊獎(jiǎng)
1987年獲優(yōu)秀編輯二等獎(jiǎng)
1989年獲優(yōu)秀期刊獎(jiǎng)
期刊名稱(chēng):人工晶體學(xué)報(bào)
主管單位:中國(guó)建材工業(yè)協(xié)會(huì)
主辦單位:中材人工晶體研究院
國(guó)際刊號(hào)ISSN:1000-985X
國(guó)內(nèi)刊號(hào)CN:11-2637/O7
出版周期:月刊
出版地:北京市
期刊語(yǔ)種:中文
期刊開(kāi)本:16開(kāi)
歷史沿革:人工晶體
現(xiàn)用刊名:人工晶體學(xué)報(bào)
創(chuàng)刊時(shí)間:1972
【欄目設(shè)置】
主要欄目:學(xué)術(shù)論文、簡(jiǎn)報(bào)。
【投稿須知】
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3、圖(含照片)、表和公式應(yīng)通篇分別編號(hào),圖題、表題應(yīng)有中英文對(duì)照。表格應(yīng)采用三線表形式,內(nèi)容以英文表述。曲線圖應(yīng)直觀、簡(jiǎn)潔,圖中文字用英文、量的名稱(chēng)及符號(hào)、坐標(biāo)要準(zhǔn)確、清晰(物理量符號(hào)用斜體,單位用正體)并與文中一致,曲線圖的尺寸(高*寬)以100×130mm為宜,為方便修改,文中曲線圖應(yīng)采用計(jì)算機(jī)繪圖,最好用Origin格式插入,字體采用Arial,4號(hào)字(24磅),激光打印機(jī)打印。照片要求黑白分明,層次清晰。
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【雜志范例】
2013年9期
1
摻雜BaAlBO_3F_2晶體的生長(zhǎng)及性能研究林湲;岳銀超;李小矛;楊蕾;胡章貴;1723-1728+1734
2
坩鍋下降法生長(zhǎng)Nd~(3+)∶LiYF_4單晶及其光譜性能研究汪沛淵;夏海平;彭江濤;唐磊;胡皓陽(yáng);1729-1734
3
導(dǎo)模提拉法生長(zhǎng)Tb3Sc2Al3O12(TSAG)晶體及性質(zhì)表征施俐君;郭莉薇;魏慶科;宋財(cái)根;胡曉琳;莊乃鋒;林樹(shù)坤;陳建中;1735-1740+1756
4
吸收層成份比例對(duì)CIGS太陽(yáng)電池性能的影響劉芳芳;孫云;何青;1741-1745
5
科學(xué)家開(kāi)發(fā)出納米尺度光子晶體1745
6
ZnO微米刺球的CVD法生長(zhǎng)及其在壓電應(yīng)力傳感器中的應(yīng)用劉欣;胡禮中;張賀秋;邱宇;趙宇;駱英民;1746-1749
7
Ar流量對(duì)ECR-PECVD制備氫化納米晶硅薄膜結(jié)構(gòu)及性能影響研究張學(xué)宇;吳化;劉耀東;吳愛(ài)民;1750-1756
8
水熱控制合成球形堿式磷酸鐵及生長(zhǎng)機(jī)理研究徐宇桑;陳建銘;宋云華;1757-1761
9
Fe_3O_4基納米磁性粉體的調(diào)控合成及性能研究劉巖;遲延秀;林盛;李新艷;王帥;1762-1766
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