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電子與封裝雜志

發(fā)布時(shí)間: 1

  《電子與封裝》雜志是目前國(guó)內(nèi)唯一一本全面報(bào)道封裝與測(cè)試技術(shù)、半導(dǎo)體器件和IC設(shè)計(jì)與制造技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用以及前沿技術(shù)、市場(chǎng)信息等的技術(shù)性刊物,是中國(guó)電子學(xué)會(huì)生產(chǎn)技術(shù)學(xué)分會(huì)(電子封裝專(zhuān)業(yè))會(huì)刊、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)封裝分會(huì)會(huì)刊。

  【收錄情況】

  國(guó)家新聞出版總署收錄

  ASPT來(lái)源刊

  中國(guó)期刊網(wǎng)來(lái)源刊

  【欄目設(shè)置】

  主要欄目:政策與策略、專(zhuān)家論壇、綜述、封裝與組裝、電路設(shè)計(jì)與測(cè)試、器件與制造、支撐技術(shù)、產(chǎn)品、應(yīng)用與市場(chǎng)。

  期刊名稱(chēng):電子與封裝

  主管單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司

  主辦單位:中電科技集團(tuán)第五十八研究所

  國(guó)際刊號(hào)ISSN:1681-1070

  國(guó)內(nèi)刊號(hào)CN:32-1709/TN

  出版周期:月刊

  出版地:江蘇省無(wú)錫市

  期刊語(yǔ)種:中文

  期刊開(kāi)本:16開(kāi)

  現(xiàn)用刊名:電子與封裝

  創(chuàng)刊時(shí)間:2002

電子與封裝

  【投稿須知】

  一、摘要與關(guān)鍵詞:文章要提供100-200字的摘要,客觀反映論文的主要內(nèi)容;提供3-5個(gè)關(guān)鍵詞,用分號(hào)隔開(kāi);撰寫(xiě)的文章字?jǐn)?shù)以2500-4500字為宜。

  二、作者簡(jiǎn)介:姓名(出生年月)、性別、工作單位、郵政編碼、職稱(chēng)、職務(wù)、學(xué)歷、主要研究方向等(研究生須注明博士研究生或碩士研究生)。

  三、注釋?zhuān)鹤⑨屝蛱?hào)(上標(biāo))用帶圓圈的阿拉伯?dāng)?shù)字表示,附于文末。

  四、非正式出版物(如博士或碩士學(xué)位論文)、未正式發(fā)表的講話等不能作為參考文獻(xiàn)引用。

  五、參考文獻(xiàn)的格式:

  1、參考專(zhuān)著:[序號(hào)]作者.書(shū)名.出版地:出版社,出版年。

  2、參考報(bào)紙、期刊:[序號(hào)]作者.文題.報(bào)刊名,出版年,卷(期、版次),其止頁(yè)碼(具體情況可以參照國(guó)家GB7714-87“文后參考文獻(xiàn)著錄規(guī)則”)。

  六、資助項(xiàng)目需注明資助者、項(xiàng)目編號(hào)。

  七、體例要求:以“一”、“1”、“(1)”作為文章層次,(1)之下以小標(biāo)題方式提煉主要觀點(diǎn)。

  八、圖表要求:表格:將表名置于表上方居中;圖:將圖名置于圖下方居中。表、圖內(nèi)文字統(tǒng)一用楷體。

  九、為便于稿件的修改及聯(lián)絡(luò),請(qǐng)作者提供聯(lián)系方式:通信地址:郵編、電話、手機(jī)、電子信箱等。

  十、來(lái)稿一律通過(guò)電子郵件(WORD文檔附件)發(fā)送,嚴(yán)禁抄襲,文責(zé)自負(fù),來(lái)稿必復(fù)。

  【雜志范例】

  2013年第5期目錄

  封裝、組裝與測(cè)試

  (1)封裝用環(huán)氧模塑料制備及其線膨脹性能研究

  楊菲周莉

  (6)基于測(cè)試系統(tǒng)的FPGA測(cè)試方法研究

  解維坤萬(wàn)清章慧彬

  (9)MC34063DC/DC轉(zhuǎn)換控制電路測(cè)試方法概述

  孫曦東邢壯

  電路設(shè)計(jì)

  (12)ADC中高精度轉(zhuǎn)換序列發(fā)生器的設(shè)計(jì)

  萬(wàn)清徐新宇薛海衛(wèi)王澧

  (17)一種應(yīng)用于低噪聲PLL的RF—VCO設(shè)計(jì)

  張濤蔣潁丹王麗秀

  (21)C波段LTCC寬邊耦合疊層濾波器設(shè)計(jì)

  程書(shū)博趙祖軍

  (24)基于時(shí)頻聯(lián)合分布的經(jīng)驗(yàn)?zāi)B(tài)分解方法

  金晶晶耿元婧

  微電子制造與可靠性

  (27)65nmn溝MOSFET的重離子輻照徑跡效應(yīng)研究

  高婷婷王玲蘇凱馬瑤袁菁龔敏

  (31)細(xì)間距圖形電路無(wú)氰化學(xué)鍍金工藝研究

  劉東光胡江華


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